- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD65R1K4C6
IPD65R1K4C6 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD65R1K4C6 |
|---|---|
| حجم فایل | 32.944 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 15 |
دانلود دیتاشیت IPD65R1K4C6 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD65R1K4C6
- Power Dissipation (Pd): 28W
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 3.2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@100uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,1A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies